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MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND parallèle Micron MT29F32G08CBADAWP-M:D TR - 32 Gbit
Circuit intégré de mémoire flash NAND haute densité 32 Gbit de Micron Technology, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire flash NAND à interface parallèle offre une organisation mémoire de 4 Go x 8 dans un boîtier compact TSOP I 48 broches pour montage en surface.
Caractéristiques principales
- Capacité de stockage de 32 Gbit - Mémoire haute densité pour les applications gourmandes en données
- Interface parallèle - Intégration rapide et simple avec les systèmes existants et industriels
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables
- Boîtier CMS - 48-TSOP I pour un assemblage automatisé et une optimisation de l'espace
- Produit en stock agréé - Documentation complète du fabricant et traçabilité incluses
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, l'enregistrement de données, le stockage de firmware et toute application nécessitant une mémoire non volatile haute densité avec compatibilité d'interface parallèle.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé – Nous fournissons des composants Micron authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous nos produits proviennent de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi leur authenticité et leur fiabilité pour vos applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 32 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 4G x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP I |
| RoHS |  |
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