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Mémoire flash NAND Micron MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR - 4 Gbits

Mémoire flash NAND 4 Gbit haute performance de Micron Technology Inc., conçue pour les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Cette puce mémoire à interface parallèle dispose d'une architecture 512 Mbits x 8 et fonctionne sur une plage de températures étendue de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants des secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire : 4 Gbit (organisation de 512 Mo x 8)
• Technologie : Mémoire flash NAND - Mémoire non volatile
• Interface : Parallèle pour l'accès aux données à haut débit
• Tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V pour une alimentation flexible
• Plage de température : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
• Boîtier : 63-VFBGA (9 x 11 mm) à montage en surface
• Conditionnement : Bande et bobine pour assemblage automatisé
• Conformité : Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, l'enregistrement de données, le stockage de firmware, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications nécessitant une conservation des données à long terme et une grande fiabilité.

Spécifications techniques complètes :

Pourquoi choisir la mémoire flash NAND Micron ?

Micron Technology est un leader mondial des solutions de mémoire et de stockage, reconnu pour sa fiabilité éprouvée, son support étendu tout au long du cycle de vie et sa documentation technique complète. Ce composant bénéficie de l'assurance qualité Micron et convient aux conceptions exigeant une disponibilité et une traçabilité à long terme.

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