MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E

Mémoire flash NAND Micron MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E - 4 Gbit

La MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E de Micron Technology est une solution de mémoire flash NAND 4 Gbit hautes performances conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire non volatile offre un stockage de données fiable grâce à son architecture 512 Mbits x 8 et son interface parallèle, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués exigeant une conservation robuste et à long terme des données.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : une capacité de 4 Gbits offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les applications en environnements difficiles
• Interface parallèle : intégration rapide et simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
• Encombrement réduit : le boîtier 63-VFBGA (9 x 11 mm) permet de gagner un espace précieux sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée pour :

• Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
• équipements de contrôle et d'automatisation industriels
• Enregistrement des données des dispositifs médicaux
• Infrastructure de télécommunications
• avionique aérospatiale et enregistreurs de vol
• Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents

Spécifications techniques

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