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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Circuit intégré de mémoire flash NAND 4 Gbit
Mémoire Flash NAND 4 Gbit haute fiabilité de Micron Technology, conçue pour les applications industrielles nécessitant un stockage de données non volatiles avec interface parallèle. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une organisation de 512 Mbits x 8 et fonctionne sur une plage de températures étendue de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages :
- Stockage haute densité : capacité de mémoire flash NAND de 4 Gbits (512 Mo x 8).
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle rapide et fiable pour la compatibilité avec les systèmes existants
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Large plage de tension : flexibilité d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Boîtier CMS : 48-TSOP I (largeur de 18,40 mm) pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Micron en matière de disponibilité des produits
Applications :
Idéal pour les systèmes embarqués, l'enregistrement de données, le stockage de firmware, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une technologie Flash NAND éprouvée.
Spécifications techniques complètes :
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron 100 % authentiques, accompagnés d'une documentation de traçabilité complète, des fiches techniques du fabricant et des certificats de conformité (RoHS/REACH). Chaque unité provient directement du réseau d'approvisionnement agréé de Micron, garantissant ainsi des pièces d'origine et un support complet tout au long du cycle de vie de vos applications critiques.
Disponible en emballage Tape & Reel (TR) pour la production à grand volume et l'assemblage automatisé pick-and-place.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP I |
| RoHS |  |
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