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Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR

Prix habituel €4,95
Prix habituel Prix promotionnel €4,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €4,95 EUR €4,95 EUR
15+ €4,55 EUR €68,25 EUR
25+ €4,46 EUR €111,50 EUR
50+ €4,21 EUR €210,50 EUR
100+ €3,71 EUR €371,00 EUR
N+ €0,74 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire flash NAND SLC Micron MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR - 4 Gbits

Circuit intégré de mémoire flash NAND SLC 4 Gbit haute fiabilité de Micron Technology, conçu pour les applications industrielles, automobiles et critiques nécessitant une longue durée de vie et une intégrité des données.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire flash NAND SLC 4 Gbit (512 Mo x 8) : endurance et conservation des données supérieures
  • Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour les applications à haute vitesse
  • Plage de températures industrielles - Fonctionne de -40°C à 105°C (TC)
  • Boîtier TSOP I 48 broches - Montage en surface, conditionnement en bande et bobine
  • Plage de tension étendue : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
  • Conforme à la directive RoHS – Respectueux de l'environnement, sans plomb

Applications :

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants Micron 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique. Leur disponibilité sur une longue durée de vie est garantie pour accompagner vos programmes produits et limiter les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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