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MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 4 Gbit
Le MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 4 Gbit hautes performances conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash NAND à interface parallèle offre une organisation de 512 Mo x 8 dans un boîtier compact à montage en surface VFBGA 63 broches.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 4 Gbit (512 Mo) – Mémoire non volatile suffisante pour le micrologiciel, l'enregistrement de données et les systèmes embarqués
- Interface parallèle - Intégration rapide et simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension - Tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier compact 63-VFBGA - Format compact 9x11 mm pour les circuits imprimés à haute densité
- Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Ce circuit intégré NAND Flash est parfaitement adapté aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant un stockage non volatil fiable et haute densité avec une longue durée de vie.
Distributeur agréé - Traçabilité complète
Nous fournissons des composants Micron authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de conformité et d'une traçabilité intégrale de la chaîne d'approvisionnement. Chaque unité bénéficie de notre garantie d'authenticité et de notre engagement de disponibilité sur tout son cycle de vie.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR.pdf