MT41J256M16HA-093G:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT41J256M16HA-093G:E TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
La mémoire MT41J256M16HA-093G:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette DRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,066 GHz et un temps d'accès de 20 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute capacité : mémoire de 4 Gbit organisée en 256 Mo x 16.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 1,066 GHz avec un temps d’accès de 20 ns
- Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 95 °C (TC) pour les applications industrielles
- Boîtier compact : conception à montage en surface 96-TFBGA (9 x 14 mm)
- Alimentation fiable : plage de tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un accompagnement tout au long du cycle de vie et des ressources techniques pour garantir le succès de votre projet. Chaque unité est accompagnée d'une certification du fabricant et d'une assurance qualité.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 1,066 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-FBGA (9x14) |
| RoHS |

MT41J256M16HA-093G:E TR.pdf