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Micron Technology Inc.

MT41J256M16HA-093G:E TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

MT41J256M16HA-093G:E TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

La mémoire MT41J256M16HA-093G:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette DRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 1,066 GHz et un temps d'accès de 20 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Haute capacité : mémoire de 4 Gbit organisée en 256 Mo x 16.
  • Performances rapides : fréquence d’horloge de 1,066 GHz avec un temps d’accès de 20 ns
  • Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 95 °C (TC) pour les applications industrielles
  • Boîtier compact : conception à montage en surface 96-TFBGA (9 x 14 mm)
  • Alimentation fiable : plage de tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un accompagnement tout au long du cycle de vie et des ressources techniques pour garantir le succès de votre projet. Chaque unité est accompagnée d'une certification du fabricant et d'une assurance qualité.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 1,066 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 96-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 96-FBGA (9x14)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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