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Micron Technology Inc.

MT41J256M16HA-125:E TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

MT41J256M16HA-125:E TR - Mémoire SDRAM DDR3 haute performance

La mémoire MT41J256M16HA-125:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 800 MHz et un temps d'accès de 13,75 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Haute capacité : mémoire de 4 Gbit organisée en 256 Mo x 16.
  • Performances rapides : fréquence d’horloge de 800 MHz avec un temps d’accès de 13,75 ns
  • Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 95 °C (TC) pour les applications industrielles
  • Alimentation fiable : tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V
  • Gain de place : Boîtier compact à montage en surface 96-FBGA (9x14)
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et fiables.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique à long terme et des ressources d'intégration pour garantir la réussite de votre projet. Tous les composants proviennent directement de Micron Technology, ce qui garantit leur authenticité et leur qualité.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 13,75 ns
Tension - Alimentation 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 96-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 96-FBGA (9x14)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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