MT41K256M4DA-107:J TR

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Micron MT41K256M4DA-107:J TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 de qualité industrielle

Le MT41K256M4DA-107:J TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute fiabilité conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un support de cycle de vie long et des performances exceptionnelles.

Principales caractéristiques techniques

Capacité mémoire : 1 Gbit de mémoire SDRAM DDR3 avec une organisation de 256 Mo x 4
Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz, temps d’accès de 20 ns
Plage de températures industrielles : 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements difficiles
Conception basse consommation : tension d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
Boîtier compact : montage en surface 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
Conformité : Conforme à la directive RoHS en matière de sécurité environnementale et de conformité réglementaire

Applications cibles

Cette mémoire SDRAM DDR3 de qualité industrielle est idéale pour les applications critiques, notamment :

Systèmes de contrôle industriel et automatisation des usines
Systèmes électroniques automobiles et ADAS
Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
Infrastructure de télécommunications
Systèmes aérospatiaux et de défense
Plateformes informatiques embarquées
Applications réseau et serveur nécessitant un cycle de vie étendu

Pourquoi choisir notre distribution ?

En tant que distributeur agréé Micron, nous garantissons :

Composants 100% authentiques avec traçabilité complète du fabricant
Documentation technique complète et fiches techniques
certification de conformité RoHS/REACH
Engagement de disponibilité à long terme pour les projets sensibles au cycle de vie
Emballage et manutention d'origine du fabricant
Expédition internationale avec assistance à la conformité transfrontalière

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit	Valeur de la propriété
Fabricant	Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement	Bande et bobine (TR) \|
Type de mémoire	Volatil
Format de mémoire	DRACHME
Technologie	SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire	1 Gbit
Organisation de la mémoire	256M x 4
Interface mémoire	Parallèle
Fréquence d'horloge	933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	20 ns
Tension - Alimentation	1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement	0°C ~ 95°C (TC)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Emballage / Étui	78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur	78-FBGA (8x10,5)
RoHS