MT41K512M8RH-107:E TR

Micron MT41K512M8RH-107:E TR - Mémoire SDRAM DDR3L haute performance

Le MT41K512M8RH-107:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3L 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 512M x 8 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 933 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps d’accès de 20 ns pour un traitement rapide des données
• Faible consommation d'énergie : Technologie DDR3L avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
• Large plage de températures : 0 °C à 95 °C (TC) de température de fonctionnement pour les applications industrielles
• Boîtier compact : boîtier CMS 78-TFBGA (9 x 10,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Distribution autorisée : traçabilité complète, assistance tout au long du cycle de vie et ressources d’intégration disponibles

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM DDR3L est idéale pour :

• Systèmes informatiques embarqués
• Automatisation et contrôle industriels
• Infrastructure de télécommunications
• équipement de diagnostic médical
• électronique automobile
• Systèmes aérospatiaux et de défense

Qualité et conformité

Conforme à la directive RoHS. Disponible avec documentation complète, certificats de traçabilité et engagement sur le cycle de vie. Contactez-nous pour obtenir de l'aide à la conception, les spécifications techniques et les tarifs dégressifs.

• MT41K512M8RH-107:E TR.pdf