MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR - SDRAM LPDDR2 de qualité automobile
La mémoire vive LPDDR2 SDRAM MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR de Micron Technology est une solution haute performance de 512 Mbits spécialement conçue pour les applications automobiles. Cette mémoire volatile de qualité automobile offre des performances fiables dans des environnements exigeants grâce à sa qualification AEC-Q100 et sa plage de températures de fonctionnement étendue de -40 °C à 105 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les systèmes automobiles critiques.
- Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 533 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
- Configuration mémoire optimale : capacité de 512 Mbits organisée en 16 Mbits x 32 bits
- Plage de température étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC)
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,14 V à 1,3 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Conception à montage en surface : Boîtier compact 134-VFBGA (10 x 11,5 mm)
- Prêt pour la production : Disponible en conditionnement bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM LPDDR2 est parfaitement adaptée aux systèmes d'infodivertissement automobile, aux systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), aux tableaux de bord, aux systèmes de navigation et autres systèmes électroniques automobiles nécessitant des performances de mémoire rapides et fiables dans des conditions environnementales difficiles.
Spécifications techniques complètes
Conforme à la norme RoHS - Ce produit répond aux normes environnementales relatives à la réduction des substances dangereuses.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR2 mobile |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |
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