MT45W2MW16BABB-706 L WT

Micron MT45W2MW16BABB-706 L WT - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 32 Mbit

Le MT45W2MW16BABB-706 L WT de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Pseudo SRAM (PSRAM) de 32 Mbits à haute fiabilité conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide avec une plage de température de fonctionnement étendue.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 32 Mbits - L'organisation 2M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
• Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
• Large plage de températures de fonctionnement - Performances fiables de -30 °C à 85 °C (TC) pour les environnements industriels
• Fonctionnement à basse tension - Tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
• Interface parallèle - Transfert de données à haut débit avec une architecture de mémoire parallèle éprouvée
• Boîtier CMS 54-VFBGA - Format compact 6x9 mm pour les circuits imprimés à espace restreint
• Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour la distribution mondiale

Applications idéales

Ce circuit intégré PSRAM est parfaitement adapté aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux équipements de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux systèmes aérospatiaux où une disponibilité à long terme et une traçabilité complète sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé – Nous fournissons des composants Micron authentiques avec traçabilité complète du fabricant, documentation d'origine et assistance technique à long terme. Tous nos produits sont livrés avec la certification de conformité RoHS/REACH.

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