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MT45W2MW16BABB-706 WT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT45W2MW16BABB-706 WT TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 32 Mbit
La mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit haute fiabilité Micron MT45W2MW16BABB-706 WT TR est conçue pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide avec une interface parallèle simple. Ce composant offre d'excellentes performances pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications où un support à long terme et une traçabilité complète sont essentiels.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 32 Mbits - L'organisation 2M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
- Temps d'accès rapide de 70 ns - Garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes critiques en temps réel
- Interface parallèle - Simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Large plage de températures de fonctionnement : -30 °C à 85 °C (TC), adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
- Boîtier CMS 54-VFBGA - Format compact 6 x 9 mm pour un gain de place sur la carte
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires
- Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, des systèmes de contrôle automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux, des infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant une mémoire haute fiabilité, une disponibilité à long terme et une traçabilité complète du fabricant.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé - Nous fournissons des composants Micron authentiques et 100 % traçables, accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'un engagement sur tout le cycle de vie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-VFBGA (6x9) |
| RoHS |  |
MT45W2MW16BABB-706 WT TR.pdf