MT45W2MW16PABA-70 WT

Micron MT45W2MW16PABA-70 WT : Solution de mémoire PSRAM haute performance de 32 Mbits

La mémoire PSRAM MT45W2MW16PABA-70 WT de Micron Technology offre des performances fiables pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire parallèle de 32 Mbits dispose d'une organisation 2M x 16 et d'un temps d'accès rapide de 70 ns, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant une récupération rapide des données et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 70 ns garantit un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
• Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -30 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles.
• Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 48-VFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est parfaitement adapté pour :

• Applications des systèmes embarqués et des microcontrôleurs
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• équipement d'infrastructure de télécommunications
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs médicaux nécessitant un stockage de données fiable
• applications aérospatiales et de défense

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