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MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR mobile de 128 Mbit
La mémoire MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM LPDDR (Mobile Low Power DDR) haute performance de 128 Mbits, conçue pour les applications à espace restreint et à faible consommation. Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile présente une architecture 8M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un accès et un stockage des données fiables.
Principales caractéristiques et avantages :
- Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR mobile est optimisée pour les appareils portables et alimentés par batterie.
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns et un cycle d’écriture de 15 ns
- Format compact : boîtier CMS 60-VFBGA (8x9) idéal pour les conceptions à espace restreint
- Large plage de températures de fonctionnement : Classe de température industrielle de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Tension d'alimentation flexible : fonctionnement de 1,7 V à 1,95 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux
Applications idéales :
Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux équipements de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux applications aérospatiales nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Pourquoi choisir ce composant :
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron 100 % authentiques, avec une traçabilité complète, la documentation du fabricant et des garanties de disponibilité à long terme. Chaque unité est conditionnée en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés, assurant ainsi une qualité et une manipulation optimales.
Spécifications techniques complètes :
Conformité et assurance qualité : Tous les composants proviennent directement de circuits de distribution agréés, avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation de conformité RoHS/REACH et des certifications de qualité disponibles sur demande.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-VFBGA (8x9) |
| RoHS |  |
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