• MT46V128M4TG-6T:D TR Micron Technology Inc. Circuit intégré de mémoire DRAM 512 Mbit PAR 66TSOP Original Authentic IC Component
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Micron Technology Inc.

MT46V128M4TG-6T:D TR

€13,95
€13,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €13,95 EUR €13,95 EUR
15+ €12,83 EUR €192,45 EUR
25+ €12,56 EUR €314,00 EUR
50+ €11,86 EUR €593,00 EUR
100+ €10,46 EUR €1.046,00 EUR
N+ €2,09 EUR Price Inquiry
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Recycling Electronic Components
Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 128M x 4
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 167 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP

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