MT46V32M16P-5B XIT:J TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT46V32M16P-5B XIT:J TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le MT46V32M16P-5B de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce composant dispose d'une organisation mémoire 32 Mbits x 16, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et fonctionne dans une plage de températures étendue, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 512 Mbits : organisation de la mémoire en 32 M x 16 pour une conception système flexible
- Performances à 200 MHz : temps de cycle d'écriture rapide de 15 ns et temps d'accès de 700 ps
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : alimentation de 2,5 V à 2,7 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Boîtier CMS : boîtier 66-TSOP pour assemblage automatisé
- Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série
Applications
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes d'infodivertissement automobile, les équipements de contrôle industriel, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons exclusivement des composants provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Chaque composant est approvisionné par les circuits officiels afin de garantir son authenticité et sa disponibilité à long terme pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP |
| RoHS |

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