MT46V32M16TG-5B:F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR Micron MT46V32M16TG-5B:F TR
La puce MT46V32M16TG-5B:F TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) présente une architecture 32 Mbits x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 700 ps et un temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 2,5 V à 2,7 V pour des performances stables.
- Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA) pour une utilisation polyvalente
- Boîtier compact : conception à montage en surface 66-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
- Conditionnement pratique : format bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
- Distribution agréée : Traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie assurées par un distributeur agréé.
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et à haute vitesse.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques avec une documentation de traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'intégration technique. Notre service de livraison international garantit un approvisionnement fiable pour vos besoins critiques en semi-conducteurs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP |

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