MT46V32M16TG-5B:J TR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR Micron MT46V32M16TG-5B:J TR

Le MT46V32M16TG-5B:J TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette puce mémoire à montage en surface (CMS) présente une architecture 32 Mbits x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 512 Mbits avec une organisation de 32 M x 16
• Technologie DDR SDRAM pour des performances améliorées
• Fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
• Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 2,5 V à 2,7 V
• Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C
• Boîtier de montage en surface 66-TSOP
• Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Idéal pour les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile haute vitesse à la fiabilité éprouvée.

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation complète de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie de ce composant mémoire Micron.

Spécifications techniques

• MT46V32M16TG-5B:J TR.pdf