MT46V32M16TG-6T:F TR

Micron MT46V32M16TG-6T:F TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit

Composant de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit hautes performances de Micron Technology, conçu pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile fiable et rapide. Cette configuration 32M x 16 offre une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps, ​​idéal pour les applications industrielles, de télécommunications, automobiles et aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 167 MHz avec un temps d’accès de 700 ps pour les applications temps réel exigeantes.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration d’interface parallèle 32 Mo x 16 pour une intégration système polyvalente
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de 0 °C à 70 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Conception pour montage en surface : boîtier 66-TSOP optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
• Large plage de tension : alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour un fonctionnement écoénergétique
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série

Applications

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, l'infrastructure de télécommunications et les systèmes informatiques embarqués nécessitant une technologie DDR SDRAM éprouvée et une disponibilité à long terme.

Spécifications techniques complètes

Qualité et assistance

En tant que distributeur agréé, nous assurons la traçabilité complète des composants, la fourniture de pièces Micron authentiques, un support technique et une gestion du cycle de vie à long terme. Tous nos produits sont livrés avec la documentation du fabricant et sont conformes aux normes de qualité du secteur.

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