MT46V32M8P-5B:M TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT46V32M8P-5B:M TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
La puce MT46V32M8P-5B:M TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM DDR de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant haute fiabilité dispose d'une architecture mémoire 32M x 8, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et d'un temps d'accès rapide de 700 ps, garantissant des performances robustes pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 700 ps pour un traitement rapide des données
- Architecture mémoire optimisée : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 32 M x 8 pour une intégration système flexible
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,5 V à 2,7 V pour des conceptions écoénergétiques
- Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
- Conditionnement prêt pour la production : format bande et bobine pour l’assemblage automatisé et la production en série
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et à haute vitesse.
Spécifications techniques
Assistance et documentation en matière de conception
Traçabilité complète, fiches techniques et ressources techniques sont disponibles pour faciliter votre intégration. Contactez notre équipe d'ingénierie pour obtenir des conseils d'application, des conceptions de référence et des tarifs dégressifs.
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP |
| RoHS |

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