Passer aux informations produits
1 de 1

Micron Technology Inc.

MT46V64M8P-5B:J TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

MT46V64M8P-5B:J TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute fiabilité

La puce MT46V64M8P-5B:J TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits conçue pour les applications hautes performances exigeant des composants fiables et à longue durée de vie. Cette mémoire DRAM volatile dispose d'une architecture 64M x 8, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et d'un boîtier CMS TSOP 66, idéale pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et les systèmes embarqués.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits avec organisation 64M x 8
  • Fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
  • Tension d'alimentation de 2,5 V à 2,7 V pour une faible consommation d'énergie
  • Plage de températures de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier CMS 66-TSOP pour une conception de circuit imprimé compacte
  • Conforme à la norme RoHS avec traçabilité complète
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Systèmes de contrôle industriel, équipements de réseau, électronique automobile, dispositifs médicaux, infrastructures de télécommunications et plateformes informatiques embarquées nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques avec la documentation complète du fabricant, les certificats de conformité et un support tout au long du cycle de vie pour une intégration en toute confiance.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .