MT46V64M8P-5B:J TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT46V64M8P-5B:J TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute fiabilité
La puce MT46V64M8P-5B:J TR de Micron Technology est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits conçue pour les applications hautes performances exigeant des composants fiables et à longue durée de vie. Cette mémoire DRAM volatile dispose d'une architecture 64M x 8, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et d'un boîtier CMS TSOP 66, idéale pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et les systèmes embarqués.
Caractéristiques principales :
- Mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits avec organisation 64M x 8
- Fréquence d'horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
- Tension d'alimentation de 2,5 V à 2,7 V pour une faible consommation d'énergie
- Plage de températures de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (TA)
- Boîtier CMS 66-TSOP pour une conception de circuit imprimé compacte
- Conforme à la norme RoHS avec traçabilité complète
- Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications : Systèmes de contrôle industriel, équipements de réseau, électronique automobile, dispositifs médicaux, infrastructures de télécommunications et plateformes informatiques embarquées nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques avec la documentation complète du fabricant, les certificats de conformité et un support tout au long du cycle de vie pour une intégration en toute confiance.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP |
| RoHS |

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