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MT47H128M4SH-25E:H TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT47H128M4SH-25E:H TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le MT47H128M4SH-25E:H TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 de 512 Mbits fiable, conçu pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et efficaces. Avec une organisation mémoire de 128 Mbits x 4 et une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 400 MHz et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 512 Mbits avec une organisation de 128 Mbits x 4 pour une conception système flexible
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Conception pour montage en surface : boîtier TFBGA 60 (8 x 10 mm) pour des circuits imprimés compacts.
- Conditionnement prêt pour la production : format bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est idéal pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Plateformes informatiques embarquées
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
Pourquoi choisir la technologie Micron ?
Micron Technology est un leader mondial des solutions de mémoire et de stockage, reconnu pour son innovation, sa qualité et sa fiabilité. Le MT47H128M4SH-25E:H TR bénéficie de plusieurs décennies d'expertise dans le domaine des semi-conducteurs, garantissant des performances constantes et une disponibilité à long terme pour les applications critiques.
Référence : MT47H128M4SH-25E:H TR
Fabricant : Micron Technology Inc.
Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 128M x 4 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
| RoHS |  |
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