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MT47H64M16NF-25E XIT:M TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT47H64M16NF-25E XIT:M TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
La mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit Micron MT47H64M16NF-25E XIT:M TR est un circuit intégré haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette DRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire 64 Mbits x 16 avec une fréquence d'horloge de 400 MHz, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 1 Gbit avec une organisation de 64 M x 16 pour un stockage de données efficace
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 400 MHz, temps de cycle d’écriture de 15 ns et temps d’accès de 400 ps.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Interface standard de l'industrie : interface parallèle DDR2 SDRAM pour une large compatibilité
- Boîtier compact : boîtier CMS 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications
Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Pourquoi choisir ce circuit intégré de mémoire ?
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un accompagnement tout au long du cycle de vie et des ressources techniques pour l'intégration. Chaque composant provient directement de Micron Technology Inc., garantissant ainsi son authenticité et la qualité de vos applications critiques.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-FBGA (8x12,5) |
| RoHS |  |
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