MT48H4M16LFB4-75:H TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT48H4M16LFB4-75:H TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR mobile 64 Mbit
La puce MT48H4M16LFB4-75:H TR de Micron Technology Inc. est une mémoire SDRAM LPSDR (Mobile Low Power Single Data Rate) 64 Mbit hautes performances, conçue pour les applications mobiles et embarquées à espace restreint. Ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables et une faible consommation d'énergie, ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V optimisée pour les applications mobiles et alimentées par batterie
- Format compact : le boîtier CMS 54-VFBGA (8x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Organisation de la mémoire fiable : la configuration 4M x 16 offre une architecture de mémoire flexible
- Large plage de fonctionnement : plage de température de 0 °C à 70 °C adaptée aux environnements industriels
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM LPSDR mobile est conçue pour les applications critiques, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Modules d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Instruments portables et de poche
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Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPSDR mobile |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-VFBGA (8x8) |
| RoHS |

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