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Micron Technology Inc.

MT48H4M16LFB4-75:H TR

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Micron MT48H4M16LFB4-75:H TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR mobile 64 Mbit

La puce MT48H4M16LFB4-75:H TR de Micron Technology Inc. est une mémoire SDRAM LPSDR (Mobile Low Power Single Data Rate) 64 Mbit hautes performances, conçue pour les applications mobiles et embarquées à espace restreint. Ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables et une faible consommation d'énergie, ce qui le rend idéal pour les appareils alimentés par batterie dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V optimisée pour les applications mobiles et alimentées par batterie
  • Format compact : le boîtier CMS 54-VFBGA (8x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Organisation de la mémoire fiable : la configuration 4M x 16 offre une architecture de mémoire flexible
  • Large plage de fonctionnement : plage de température de 0 °C à 70 °C adaptée aux environnements industriels
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPSDR mobile est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
  • Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Instruments portables et de poche

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPSDR mobile
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-VFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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