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Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2P-7E:G TR

Prix habituel €4,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €4,95 EUR €4,95 EUR
15+ €4,55 EUR €68,25 EUR
25+ €4,46 EUR €111,50 EUR
50+ €4,21 EUR €210,50 EUR
100+ €3,71 EUR €371,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Micron MT48LC16M8A2P-7E:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 128 Mbit

La puce MT48LC16M8A2P-7E:G TR de Micron Technology est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son architecture 16M x 8 et sa fréquence d'horloge de 133 MHz, ce circuit intégré offre des performances robustes pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Architecture mémoire flexible : organisation 16 M x 8 optimisée pour les applications d’interface parallèle 8 bits
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Boîtier compact : boîtier CMS 54-TSOP II idéal pour les circuits imprimés compacts.
  • Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications typiques

Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.

Avantages des distributeurs agréés

Nous fournissons des composants Micron authentiques avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support à long terme pour protéger votre investissement et assurer la continuité de votre programme.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 14ns
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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