MT48LC16M8A2P-7E:G TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT48LC16M8A2P-7E:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 128 Mbit
La puce MT48LC16M8A2P-7E:G TR de Micron Technology est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son architecture 16M x 8 et sa fréquence d'horloge de 133 MHz, ce circuit intégré offre des performances robustes pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire flexible : organisation 16 M x 8 optimisée pour les applications d’interface parallèle 8 bits
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : boîtier CMS 54-TSOP II idéal pour les circuits imprimés compacts.
- Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications typiques
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.
Avantages des distributeurs agréés
Nous fournissons des composants Micron authentiques avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support à long terme pour protéger votre investissement et assurer la continuité de votre programme.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 14ns |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |

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