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Micron Technology Inc.

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

Prix habituel €3,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité

Le MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR de Micron Technology Inc. est un circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit haut de gamme conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette DRAM volatile haute performance offre une fiabilité exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire robuste : capacité de 64 Mbits avec une organisation de 2 M x 32 pour une gestion efficace des données
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
  • Conditionnement professionnel : conditionnement en bande et bobine (TR) au format 86-TSOP II pour assemblage automatisé

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes telles que les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale. Sa plage de températures étendue et sa conception robuste en font la solution idéale pour les déploiements critiques où la moindre défaillance est inacceptable.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 167 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

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