MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité
Le MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR de Micron Technology Inc. est un circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit haut de gamme conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette DRAM volatile haute performance offre une fiabilité exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire robuste : capacité de 64 Mbits avec une organisation de 2 M x 32 pour une gestion efficace des données
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
- Conditionnement professionnel : conditionnement en bande et bobine (TR) au format 86-TSOP II pour assemblage automatisé
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes telles que les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale. Sa plage de températures étendue et sa conception robuste en font la solution idéale pour les déploiements critiques où la moindre défaillance est inacceptable.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 167 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |

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