Passer aux informations produits
1 de 1

Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2P-6:G TR

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
N+ €0,44 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

Micron MT48LC4M16A2P-6:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La puce MT48LC4M16A2P-6:G TR de Micron Technology est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 64 Mbits, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 4M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à diverses exigences système.
  • Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements exigeants.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet une implantation efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé.
  • Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
  • Conforme à la directive RoHS : Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est spécifiquement conçu pour :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Plateformes ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
  • Systèmes informatiques embarqués et d'acquisition de données

Pourquoi choisir HQICKEY comme distributeur agréé ?

Distributeur agréé de composants Micron Technology, HQICKEY garantit des produits 100 % authentiques, accompagnés d'une documentation de traçabilité complète. Nous appliquons des normes de contrôle qualité rigoureuses et offrons un support technique complet afin de répondre à vos besoins d'approvisionnement avec précision et fiabilité. Notre réseau logistique mondial assure une livraison rapide, idéale pour les productions en flux tendu.

Options d'emballage

Disponible en bande coupée (CT) pour le prototypage et la production en petits lots, et en bande et bobine (TR) pour les lignes d'assemblage automatisées à grand volume.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire haute fiabilité, incluant des composants DRAM, SRAM, Flash et EEPROM de fabricants leaders. Visitez la page d'accueil HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité aérospatiale, ou visitez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des guides de conception et des analyses du secteur.

Besoin de spécifications techniques, de fiches techniques ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d’ingénieurs pour obtenir des conseils d’experts sur le choix de la mémoire et l’intégration système.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 167 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .