MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR de Micron Technology Inc. est une DRAM synchrone (SDRAM) 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile présente une architecture 4M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 167 MHz.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : plage de tension de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
- Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour une intégration optimale sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques :
Applications :
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les systèmes critiques exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes dans des plages de températures extrêmes. Il est couramment utilisé dans les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications.
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Informations sur la commande :
Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Contactez-nous pour obtenir un devis pour les commandes en gros, les spécifications techniques ou pour toute demande particulière.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 167 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |

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