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Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2TG-6:G TR

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Micron MT48LC4M16A2TG-6:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

Le MT48LC4M16A2TG-6:G TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) 64 Mbit haut de gamme, conçu pour les applications embarquées critiques exigeant une mémoire volatile fiable et rapide. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 4M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle efficace pour un débit maximal
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Conditionnement fiable : Boîtier 54-TSOP II à montage en surface (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) en format bande et bobine
  • Qualité industrielle : Fabriqué par Micron Technology Inc., un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués dans l'avionique aérospatiale, l'électronique automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et autres applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 167 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

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