MT48LC8M16A2TG-75:G TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Le MT48LC8M16A2TG-75:G TR est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbit fabriqué par Micron Technology Inc. Cette solution de mémoire fiable est conçue pour les applications industrielles et commerciales exigeantes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et efficaces.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 M x 16 pour une intégration système polyvalente
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conditionnement professionnel : Boîtier CMS 54-TSOP en format bande et bobine pour assemblage automatisé
- Fiabilité éprouvée : Bénéficiez de la réputation de Micron Technology en matière de solutions semi-conducteurs de qualité.
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les équipements de télécommunications, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs de réseau et les plateformes informatiques embarquées qui exigent des performances de mémoire volatile fiables et à haute vitesse.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |

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