MT48LC8M16LFB4-75M:G TR

Micron MT48LC8M16LFB4-75M:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR mobile de 128 Mbit

La mémoire MT48LC8M16LFB4-75M:G TR de Micron Technology est une mémoire DRAM synchrone basse consommation (LPSDR) mobile de 128 Mbits hautes performances, conçue pour les applications à espace restreint exigeant une faible consommation et des performances mémoire fiables. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) présente une architecture 8M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 128 Mbits dans un boîtier compact 54-VFBGA (8x8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz, temps d’accès de 5,4 ns et cycle d’écriture de 15 ns.
• Conception basse consommation : Technologie LPSDR mobile optimisée pour les applications sensibles à la consommation d'énergie
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
• Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties

Applications cibles

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les équipements de contrôle industriel, les infrastructures de télécommunications, les appareils portables et les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et à faible consommation.

Spécifications techniques complètes

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