MT48LC8M16LFB4-8:G TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT48LC8M16LFB4-8:G TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR mobile de 128 Mbit
La mémoire MT48LC8M16LFB4-8:G TR de Micron Technology est une DRAM synchrone basse consommation (LPSDR) mobile haute performance de 128 Mbits, conçue pour les applications à espace restreint nécessitant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Cette SDRAM présente une architecture 8M x 16 avec interface parallèle, une fréquence d'horloge de 125 MHz et un temps d'accès rapide de 7 ns, le tout dans un boîtier CMS compact 54 VFBGA.
Principales caractéristiques et avantages :
- Mémoire haute densité : capacité de 128 Mbits en configuration 8 M x 16 pour un stockage de données efficace
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 125 MHz, temps d’accès de 7 ns et temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Fonctionnement à faible consommation : Technologie LPSDR mobile optimisée pour les applications sensibles à la consommation d'énergie
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Format compact : boîtier CMS 54-VFBGA (8 x 8 mm) idéal pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales :
Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les appareils portables et les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable avec interface parallèle et une prise en charge éprouvée sur un long cycle de vie.
Avantages du distributeur agréé :
Nous fournissons des composants Micron 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Notre réseau logistique mondial assure une livraison rapide et une manutention optimale tout au long de la chaîne d'approvisionnement. Des ressources techniques, telles que des fiches techniques, des schémas de référence et une assistance à l'intégration, sont disponibles.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPSDR mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 125 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-VFBGA (8x8) |
| RoHS |

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