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Micron Technology Inc.

MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance

La mémoire Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR est une mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 16 bits et d'une fréquence d'horloge de 2,133 GHz, cette mémoire DRAM volatile offre des performances fiables dans des conditions de fonctionnement exigeantes, de -30 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 2,133 GHz garantit un accès rapide aux données pour l’informatique mobile et le traitement en temps réel.
  • Conception basse consommation : la tension d’alimentation de 1,1 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et prolonge leur autonomie.
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -30 °C à 85 °C (TC), adaptée aux applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
  • Fiabilité éprouvée : Fabriqué par Micron Technology Inc., un leader mondial des solutions de mémoire fort de plusieurs décennies d'expertise dans le domaine des semi-conducteurs.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses, garantissant ainsi la conformité réglementaire.
  • Conditionnement pratique : le format bande et bobine (TR) simplifie les processus d'assemblage automatisés et la fabrication en grande série
  • Traçabilité complète : Assistance et documentation complètes tout au long du cycle de vie pour les feuilles de route de développement produit à long terme.

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM LPDDR4 est parfaitement adaptée pour :

  • Smartphones et téléphones portables
  • Tablettes et appareils informatiques portables
  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
  • Systèmes embarqués industriels
  • Dispositifs médicaux nécessitant des performances de mémoire fiables

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir ce composant ?

S'appuyant sur l'expertise de Micron en matière de semi-conducteurs acquise depuis des décennies, le MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR offre un équilibre parfait entre performances, efficacité énergétique et fiabilité pour les conceptions mobiles et embarquées de nouvelle génération. Une traçabilité complète et un support étendu garantissent le respect de votre feuille de route de développement produit.

Assistance technique et documentation

Des fiches techniques complètes, des notes d'application et des ressources techniques sont disponibles pour faciliter votre processus d'intégration. Notre équipe assure une gestion complète du cycle de vie et une transparence totale de la chaîne d'approvisionnement pour les applications critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4 mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 16
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge 2,133 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,1 V
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage -
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur -
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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