MT62F768M64D4EK-023 Poids : D

Micron MT62F768M64D4EK-023 WT:D - Circuit intégré de mémoire DRAM haute densité

Le MT62F768M64D4EK-023 WT:D de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire DRAM haute performance de 48 Gbits conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est fourni avec la documentation complète du fabricant et bénéficie d'une traçabilité totale depuis le stock du distributeur agréé.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 48 Gbit pour les applications gourmandes en données
• Boîtier avancé : TFBGA 441 broches pour des performances thermiques et une intégrité du signal optimales.
• Interface LVSTL : signalisation basse tension pour un fonctionnement écoénergétique
• Approvisionnement authentique : stock de distributeur agréé avec traçabilité complète
• Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Micron en matière de disponibilité étendue

Applications

Idéal pour le calcul haute performance, les infrastructures réseau, l'automatisation industrielle, les systèmes aérospatiaux et les équipements de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire fiables et haute densité.

Spécifications techniques complètes

Garantie de qualité et d'authenticité

Chaque composant MT62F768M64D4EK-023 WT:D provient de distributeurs agréés et est accompagné de la documentation complète du fabricant, garantissant ainsi son authenticité et sa traçabilité totale. Nous nous engageons sur le long terme pour les applications critiques exigeant une disponibilité produit prolongée.

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