MX25R1635FZNIH2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR quadruple E/S SPI 16 Mbit Macronix MX25R1635FZNIH2 hautes performances
La mémoire flash non volatile MX25R1635FZNIH2 de la gamme MXSMIO™ de Macronix offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications embarquées nécessitant un stockage flash non volatil. Cette mémoire flash NOR de 16 Mbit intègre une interface SPI Quad E/S avancée, permettant des transferts de données à haut débit jusqu'à 80 MHz. Grâce à sa très faible consommation et sa large plage de tension d'alimentation (1,65 V à 3,6 V), ce composant est idéal pour les objets connectés alimentés par batterie, les dispositifs portables, les contrôleurs industriels et les applications automobiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 80 MHz avec interface SPI Quad E/S assure un accès et un transfert de données rapides, idéal pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : plusieurs options de configuration (4 Mo x 4, 8 Mo x 2, 16 Mo x 1) offrent une flexibilité de conception pour diverses architectures système.
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 6 ns permet une récupération rapide des données pour des performances système optimales.
- Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec les conceptions basse consommation et tension standard, idéal pour les appareils alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 5 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
- Technologie Flash NOR : l’architecture SLC (Single-Level Cell) offre une fiabilité et une endurance supérieures aux alternatives MLC.
- Performances d'écriture efficaces : des cycles d'écriture de mots de 100 µs et de pages de 3,6 ms optimisent l'efficacité de la programmation.
Applications
Le MX25R1635FZNIH2 est parfaitement adapté aux appareils IoT, à l'électronique portable, aux compteurs intelligents, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux systèmes d'infodivertissement automobile, aux dispositifs médicaux et à toute application embarquée nécessitant un stockage fiable de code et de données non volatils.
Qualité et assistance
Tous les composants sont 100 % authentiques et bénéficient de la garantie du fabricant. Nous assurons la livraison internationale et une assistance technique pour garantir la réussite de votre projet.
Produits et ressources associés :
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Macronix |
| Gamme de produits | MXSMIO™ |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4 m x 4, 8 m x 2, 16 m x 1 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 80 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 3,6 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x5) |

MX25R1635FZNIH2.pdf