N25Q128A21BSF40F TR

N25Q128A21BSF40F TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit

Le N25Q128A21BSF40F TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Ce composant mémoire à interface SPI offre des performances de lecture/écriture rapides grâce à une fréquence d'horloge de 108 MHz, ce qui le rend idéal pour le stockage de firmware, l'exécution de code et l'enregistrement de données dans les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : une capacité de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
• Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 108 MHz permet un accès rapide aux données et des temps de démarrage système réduits.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
• Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables dans des environnements industriels difficiles.
• Conditionnement standard : le boîtier CMS 16 SOIC (16 SOP2) simplifie l’intégration sur circuit imprimé et l’assemblage automatisé.
• Prêt pour la production : l'emballage en bande et bobine prend en charge la fabrication en grande série et les processus automatisés de prélèvement et de placement.

Applications typiques

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux appareils IoT, à l'électronique automobile, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant une capacité de stockage et d'exécution de code fiable sur place (XIP).

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Spécifications techniques complètes

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