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NAND02GR3B2DZA6E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND parallèle Micron NAND02GR3B2DZA6E - 2 Gbit
Le NAND02GR3B2DZA6E de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire flash NAND parallèle 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant dispose d'une organisation mémoire 256 Mbits x 8 et d'un temps d'accès rapide de 45 ns, ce qui le rend idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit (256 Mo) dans un boîtier compact 63-VFBGA
- Performances rapides : temps d’accès et cycle d’écriture de 45 ns pour des opérations de données réactives.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
- Interface parallèle : interface NAND parallèle standard pour une intégration facile
- Montage en surface : boîtier 63-TFBGA (9,5 x 12 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications typiques
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Dispositifs et instruments médicaux
- Stockage du micrologiciel embarqué et du code de démarrage
Pourquoi choisir un distributeur agréé ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une garantie. Chaque unité provient de circuits de distribution officiels afin de garantir son authenticité et sa disponibilité tout au long de son cycle de vie pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9,5x12) |
| RoHS |  |
NAND02GR3B2DZA6E.pdf