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NAND02GW3B2DN6E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron NAND02GW3B2DN6E - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit
La puce NAND02GW3B2DN6E de Micron Technology est une mémoire Flash NAND haute densité de 2 Gbit conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Grâce à son architecture 256 Mbits x 8 et son interface parallèle, ce composant offre un temps d'accès rapide de 25 ns et fonctionne dans une plage de températures industrielles allant de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages :
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit dans un boîtier compact à montage en surface 48-TSOP
- Performances rapides : temps d’accès et cycle d’écriture de 25 ns pour des opérations de données réactives.
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Alimentation flexible : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
- Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.
Applications idéales :
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les plateformes informatiques embarquées et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable à longue durée de vie avec une traçabilité complète du fabricant.
Garantie du distributeur agréé :
Nous fournissons exclusivement des produits provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Chaque unité est approvisionnée par les circuits officiels afin de garantir son authenticité et sa disponibilité à long terme pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP |
| RoHS |  |
NAND02GW3B2DN6E.pdf