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NAND02GW3B2DZA6E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron NAND02GW3B2DZA6E - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit
La mémoire NAND02GW3B2DZA6E de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash NAND à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 25 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages :
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Performances rapides : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 25 ns garantissent des opérations de données rapides.
- Qualité industrielle : plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Technologie fiable : architecture NAND Flash avec la qualité et l'endurance éprouvées de Micron
- Alimentation flexible : Large plage de tension d'alimentation (2,7 V à 3,6 V) pour une grande flexibilité de conception
- Gain de place : Boîtier compact 63-VFBGA (9,5 x 12 mm) pour montage en surface
Applications cibles :
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- contrôleurs industriels et équipements d'automatisation
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Dispositifs et instruments médicaux
- Plateformes informatiques embarquées
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En tant que distributeur agréé, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Micron, avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation détaillée et une prise en charge de la garantie. Chaque unité est expédiée avec un soin particulier et une protection contre les décharges électrostatiques, et bénéficie de notre engagement pour une disponibilité optimale tout au long du cycle de vie et une assistance à l'intégration dès la conception.
Spécifications techniques complètes :
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9,5x12) |
| RoHS |  |
NAND02GW3B2DZA6E.pdf