NCD5707BDR2G
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.005,95 EUR | €82.005,95 EUR |
| 15+ | €75.445,47 EUR | €1.131.682,05 EUR |
| 25+ | €73.805,36 EUR | €1.845.134,00 EUR |
| 50+ | €69.705,06 EUR | €3.485.253,00 EUR |
| 100+ | €61.504,46 EUR | €6.150.446,00 EUR |
| N+ | €12.300,89 EUR | Price Inquiry |
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Recycling Electronic Components
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | onsemi |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Configuration pilotée | Demi-pont |
| Type de canal | Célibataire |
| Nombre de conducteurs | 1 |
| Type de porte | IGBT, MOSFET (canal N) |
| Tension - Alimentation | 7V ~ 20V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0,75 V, 4,3 V |
| Courant - Sortie de crête (Source, Puits) | 7,8 A, 6,8 A |
| Type d'entrée | Inversion |
| Tension côté haut - Max (Bootstrap) | - |
| Temps de montée/descente (Typ) | 9,2 ns, 7,9 ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |

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