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Insignis Technology Corporation
NDB18PFB-4DET TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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NDB18PFB-4DET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le circuit intégré NDB18PFB-4DET TR d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit pour les applications critiques. Conçu avec une architecture mémoire 128 Mbits x 8 et une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce circuit intégré DRAM à montage en surface garantit un débit de données et une stabilité exceptionnels pour les systèmes aérospatiaux, industriels et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 400 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
- Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements exigeants.
- Interface standard du secteur : interface SSTL_18 pour une intégration transparente
- Format compact : boîtier 60-TFBGA (8x10) optimisé pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Idéale pour les systèmes embarqués, les équipements réseau, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques haute fiabilité exigeant des performances stables en mémoire DDR2, cette mémoire est parfaitement adaptée aux environnements industriels difficiles et aux installations extérieures grâce à sa large plage de températures de fonctionnement.
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Ressources connexes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société technologique Insignis |
| Gamme de produits | NDB1L |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_18 |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
| RoHS |  |
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