NDD56PT6-2AET TR

NDD56PT6-2AET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le NDD56PT6-2AET TR d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques et les applications à haute fiabilité. Ce composant DRAM volatil offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 200 MHz et son interface SSTL_2, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 32 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications exigeantes.
• Performances rapides : la fréquence d'horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
• Interface standard de l'industrie : interface SSTL_2 (Stub Series Terminated Logic) pour une intégrité du signal fiable
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements industriels
• Boîtier compact pour montage en surface : le 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications

Cette mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire rapide et fiable, notamment les routeurs réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements d'imagerie médicale, les stations de base de télécommunications et les systèmes avioniques aérospatiaux.

Spécifications techniques

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