NDD58PFD-2AET

NDD58PFD-2AET - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits

Le NDD58PFD-2AET d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haut de gamme, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 200 MHz et son interface SSTL_2, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués exigeants et les équipements d'entreprise.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 64 Mbits x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
• Performances rapides : la fréquence d'horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
• Interface standard de l'industrie : interface mémoire SSTL_2 pour une intégration transparente
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements industriels
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 60-TFBGA (8 x 13 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
• Distribution agréée : Composants authentiques garantis avec traçabilité complète et assistance du fabricant

Spécifications techniques

Applications

Le NDD58PFD-2AET est conçu pour être utilisé dans :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
• Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
• Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
• Infrastructure de télécommunications et matériel de réseau
• Plateformes informatiques embarquées et ordinateurs monocartes

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