NDD58PFD-2AET TR

NDD58PFD-2AET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute fiabilité

Le NDD58PFD-2AET TR d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile dispose d'une organisation 64M x 8 avec interface SSTL_2 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un traitement fiable des données dans les environnements exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 512 Mbits : l’organisation 64 M x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les applications industrielles.
• Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les applications industrielles.
• Interface standard de l'industrie : interface mémoire SSTL_2 pour une intégration transparente
• Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 60-TFBGA (8x13) optimisé pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Le NDD58PFD-2AET TR est idéal pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
• Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Plateformes informatiques embarquées

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