NDD58PT6-2AET

NDD58PT6-2AET - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits

La mémoire NDD58PT6-2AET d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables et rapides pour les applications embarquées critiques. Cette mémoire DDR SDRAM de 512 Mbits dispose d'une organisation mémoire de 64 Mbits x 8 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 200 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
• Architecture mémoire robuste : organisation 64 Mo x 8 avec interface SSTL_2 pour une intégrité du signal fiable
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
• Alimentation flexible : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour un fonctionnement écoénergétique
• Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire NDD58PT6-2AET est conçue pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire haute fiabilité, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les routeurs et commutateurs réseau, les systèmes d'infodivertissement automobiles et l'avionique aérospatiale. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent des performances constantes même dans des environnements difficiles.

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Ressources et assistance techniques

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