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Insignis Technology Corporation
NDD58PT6-2AET TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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NDD58PT6-2AET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le NDD58PT6-2AET TR d'Insignis Technology Corporation est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Ce dispositif de mémoire volatile dispose d'une architecture 64 Mbits x 8, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et d'une interface SSTL_2, garantissant des performances robustes dans les environnements critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 512 Mbits : l’organisation 64 M x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
- Fréquence d'horloge de 200 MHz : Débits de transfert de données rapides pour les exigences de traitement en temps réel
- Interface SSTL_2 : Interface standard de l’industrie garantissant une large compatibilité
- Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C (TA) pour un fonctionnement fiable dans des environnements variés.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Boîtier CMS : 66-TSOP II (66-TSSOP) pour une intégration compacte sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et les systèmes embarqués haute fiabilité nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société technologique Insignis |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_2 |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
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