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Insignis Technology Corporation

NDS66PT5-20AT TR

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

NDS66PT5-20AT TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit de qualité automobile

La mémoire NDS66PT5-20AT TR d'Insignis Technology Corporation est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue spécifiquement pour les applications automobiles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire, conforme à la norme AEC-Q100, présente une architecture 4M x 16, fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz et offre des performances fiables sur une large plage de températures, de -40 °C à 105 °C.

Caractéristiques principales :

  • Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les systèmes automobiles critiques.
  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps d’accès de 4,5 ns
  • Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C
  • Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration facile
  • Boîtier compact : boîtier CMS 54-TSOP II
  • Plage de tension étendue : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V

Cette mémoire SDRAM volatile est idéale pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), les tableaux de bord et autres applications embarquées nécessitant des performances de mémoire rapides et fiables dans des conditions environnementales difficiles.

Chez HQICKEY, nous fournissons des composants semi-conducteurs authentiques avec une traçabilité complète et un support tout au long du cycle de vie, garantissant ainsi que vos conceptions répondent aux normes de qualité et de fiabilité les plus élevées.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société technologique Insignis
Gamme de produits NDS66P
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 4,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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