NDS66PT5-20ET TR

NDS66PT5-20ET TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire SDRAM NDS66PT5-20ET TR d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables et rapides pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications automobiles. Cette mémoire de 64 Mbits dispose d'une organisation 4M x 16 et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, garantissant un accès rapide aux données et une faible consommation d'énergie dans un boîtier compact TSOP II 54 bits à montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : la fréquence d'horloge de 200 MHz garantit un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation de mémoire flexible : configuration 4 M x 16 optimisée pour les systèmes embarqués et industriels
• Interface standard de l'industrie : interface LVTTL pour une intégration transparente avec les conceptions existantes
• Large plage de fonctionnement : plage de température de 0 °C à 70 °C (TA) avec une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V
• Conception compacte : Boîtier compact 54-TSOP II pour montage en surface (0,400", largeur de 10,16 mm)
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs embarqués, aux automates programmables industriels, aux calculateurs automobiles, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications et aux dispositifs périphériques IoT nécessitant une mémoire volatile fiable avec un support de cycle de vie éprouvé.

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Spécifications techniques

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