NDS73PBE-16AT

NDS73PBE-16AT - Circuit intégré de mémoire SDRAM 128 Mbit

La NDS73PBE-16AT d'Insignis Technology Corporation est une mémoire DRAM synchrone haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables. Compatible LVTTL, cette SDRAM dispose d'une architecture 4M x 32 et fonctionne à 166 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les télécommunications, l'automobile et les applications de contrôle industriel.

Caractéristiques principales :

• Mémoire haute densité : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 4 M x 32
• Fonctionnement rapide : fréquence d'horloge de 166 MHz pour des performances réactives
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 105 °C (TA) pour les environnements difficiles
• Conditionnement compact : boîtier CMS 90-TFBGA (8x13)
• Large plage de tension d'alimentation : 3 V à 3,6 V
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l’environnement et conforme à la réglementation.

Applications :

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des dispositifs médicaux, de l'automatisation industrielle, des infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée.

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Spécifications techniques complètes :

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